Theory and breakdown voltage for
, Temple V. А. К., Ferr A. P., Rustav R. С. Theory and breakdown voltage for planar devices with a signle field limiting ring. — IEEE Transactions, 1977, v. ED-24, № 2, p. 107 — 113.
17. Альтман. Состояние и перспективы развития дискретных полу-проводниковых приборов. — Электроника, 1973, № 9, с. 85 — 94.
18. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия: Пер. с англ./ Под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса. — М.: Мир, 1969. — 451 с.
19. Мазель Е. 3., Пресс Ф. П. Планерная технология кремниевых приборов. — М.: Энергия, 1974. — 384 с.
20. Пресс Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1968. — 200с.
21. Мощный охлаждаемый водой ВЧ транзистор. — Электроника, 1982, № 17, с. 20 — 21.
22. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах/ Под ред. Р. А. Валитова, И. А. Попова. — М.: Сов. радио, 1973. — 462 с.
23. Линде Д. П. Радиопередающие устройства. — М.: Энергия, 1969. — 680 с.
24. Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний/ М. Г. Агапова и др.; Под ред. II. Г. Бергельсона, Ю. А. Каменецкого, И. Ф. Николаевского. — М.: Сов. радио, 1968. — 504 с.
25. Аронов В. Л., Федотов Я. А. Испытания и исследования полупроводниковых приборов. — М.: Высшая школа, 1975. — 325 с.
26.
Choma G. High frequency breakdown in diffused transistors — IEEE Transactions, 1971, v. ED-18, № 6, p. 347 — 349.
27.
Малиновски Х. Максимальное напряжение на коллекторе мощного ВЧ транзистора. — ТИИЭИР, 1969, т. 57, № 10, с. 150.
28.
Джонсон И., Мэллинджер М. Высокочастотные мощные транзисторы. — Электроника, 1971, т. 44, № 19, с. 58.
29.
Каганова И. И., Миркин А. И. Особенности методики измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности мощных ВЧ транзисторов. — Электронная техника. Сер. 2, 1974, вып. 3, с. 51 — 64.
30.
Каганова И. И., Миркин А. И. Методика измерения сопротивления нагрузки в узкополосном усилителе. — Электронная техника Сер. 2, 1977, вып. 7, с. 59 — 66.
Содержание Назад Вперед