Азбука транзисторной схемотехники
1.Транзистор. |
1.Увеличение мощности транзистора.
Резисторы в цепях эмиттеров нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шумов уменьшается пропорционально квадратному корню из количества параллельно включённых транзисторов.
2.Защита от перегрузки по току.
Недостаток-снижение КПД из-за наличия датчика тока R.
Другой вариант-благодая введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R,и на нём будет рассеиваться меньшая мощность.
3.Составной транзистор с высоким выходным сопротивлением.
Из-за каскодного включения транзисторов значительно уменьшен эффект Миллера.
Другая схема - за счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор имеет ещё более высокие динамические характеристики (единственное условие - второй транзистор должен иметь более высокое напряжение отсечки). Входной транзистор можно заменить на биполярный.
4.Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.
Более сложный вариант - схема Бейкера. При достижении напряжением на коллекторе транзистора напряжения базы "лишний" базовый ток сбрасывается через коллекторный переход, предотвращая насыщение.
5.Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.
С датчиком тока базы.
С датчиком тока коллектора.
6.Уменьшение времени включения/выключения транзистора путём применения форсирующей RC цепочки.
7.Составной транзистор.
Схема дарлингтона.
Схема Шиклаи.
Схемы Дарлингтона и Шиклаи с дополнительными транзисторами (нужны для увеличения входного сопротивления второго каскада по переменному току,и соответственно коэффициента передачи).
То же самое для схем Дарлингтона и Шиклаи с полевыми транзисторами на входе.
8.Широкополосный транзистор с высоким быстродействием (из-за уменьшения эффекта Миллера).
9."Алмазный транзистор".
Особенность этого транзистора-отсутствие инверсии на коллекторе.
Возможные варианты его включения.
Схема с увеличенной вдвое нагрузочной способностью.
10.Мощный составной транзистор.
11.Использование транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме.
Включение нагрузки в цепь коллектора.
Включение нагрузки в цепь эмиттера.
НОМЕ
